10W-1064-01 硅片透射系列檢測模組
PL（光致發(fā)光）檢測是一種基于光學(xué)激發(fā)和高靈敏相機(jī)成像的非接觸式檢測方法，廣泛應(yīng)用于硅片、太陽能電池片以及其他半導(dǎo)體材料的質(zhì)量檢測。
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10W功率可選范圍
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1064±5nm中心波長
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10nm半波全寬
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產(chǎn)品優(yōu)勢
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產(chǎn)品應(yīng)用
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產(chǎn)品參數(shù)
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相關(guān)產(chǎn)品
產(chǎn)品優(yōu)勢
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非接觸式檢測
PL檢測采用非接觸式的方法，對硅片不造成任何物理損傷或污染，確保樣品在檢測過程中保持完好
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高靈敏度
PL檢測能夠發(fā)現(xiàn)微米級別甚至納米級別的缺陷和雜質(zhì)，其靈敏度遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)方法
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快速高效
PL檢測可以在短時(shí)間內(nèi)處理大量樣品，大幅提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量控制的效率
產(chǎn)品應(yīng)用
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檢測模組相機(jī)捕捉示意圖 -
光伏檢測模組 -
光伏檢測
產(chǎn)品參數(shù)
系列型號
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450nm—100W
vs
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型號（W）
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中心波長（nm）
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中心波長偏差
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平均功率（W）
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典型工作距離（mm）
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出光口尺寸（mm）
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可檢硅片尺寸（mm）
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配電需求（V）
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IO接口
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平均功耗（W）
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出光控制方式
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功率調(diào)節(jié)方式
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工作溫濕度（℃）
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控制器三維尺寸 (L×W×H)（mm）
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光學(xué)模組三維尺寸 (L×W×H)（mm）
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重量（kg）
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適用工藝
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450nm—100W
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型號（W）15
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中心波長（nm）1064
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中心波長偏差±5
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平均功率（W）15
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典型工作距離（mm）10~25
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出光口尺寸（mm）280×10
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可檢硅片尺寸（mm）≤230
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配電需求（V）220
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IO接口白 0~24V+/黑 0~0.5V-
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平均功耗（W）150
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出光控制方式GUI/編碼開關(guān) IO接口
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功率調(diào)節(jié)方式GUI/編碼開關(guān)
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工作溫濕度（℃）20~30；＜80%
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控制器三維尺寸 (L×W×H)（mm）218×122×111
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光學(xué)模組三維尺寸 (L×W×H)（mm）316×33×138
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重量（kg）≈4
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適用工藝硅原片及制絨后的硅片
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相關(guān)產(chǎn)品
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COS封裝半導(dǎo)體激光器加入對比vs- 808
- 880
- 915
- 976
COS封裝技術(shù)有高效、低熱阻、可靠性強(qiáng)，可應(yīng)用于工業(yè)加工、醫(yī)療設(shè)備和通信等領(lǐng)域 -
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- 915-45
- 915-150
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- 976-280W
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- 808-16W
- 808-25W
- 808-50W
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880nm系列半導(dǎo)體激光器加入對比vs- 880-8W
- 880-30W
- 880-65W
- 880-120W
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1060nm系列半導(dǎo)體激光器加入對比vs- 1060-15W
- 1060-70W
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高效能、穩(wěn)定性好，1470nm廣泛應(yīng)用于醫(yī)療、美容、科研等領(lǐng)域 -
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- 1550nm-25W-R-200μm
高功率、可見光標(biāo)記，廣泛應(yīng)用于材料加工、醫(yī)療設(shè)備和科研實(shí)驗(yàn)中 -
450nm-100W 高功率半導(dǎo)體激光器加入對比vs- 450nm—100W
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10W-1064-01 硅片透射系列檢測模組加入對比vs- 450nm—100W
廣泛應(yīng)用于硅片、太陽能電池片以及其他半導(dǎo)體材料的質(zhì)量檢測 -
200W 帶紅光半導(dǎo)體激光器加入對比vs- 200W 激光光源
廣泛應(yīng)用于材料加工、醫(yī)療設(shè)備和科研實(shí)驗(yàn) -
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30W/50W/200W半導(dǎo)體激光器加入對比vs- JPT-30W
- JPT-50W
- JPT-200W
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實(shí)現(xiàn)固定角度發(fā)散的方形光斑激光輸出，應(yīng)用于光伏檢測
