30W/50W/200W半導體激光器
30W/50W/200W 主要用于光伏電池檢查，檢測是一種基于光學激發和高靈敏相機成像的非接觸式檢測方法，廣泛應用于硅片、太陽能電池片以及其他半導體材料的質量檢測。
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30/50/200W功率可選范圍
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808±5/915±10nm中心波長
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10nm半波全寬
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產品優勢
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產品參數
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相關產品
產品優勢
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非接觸式檢測
PL檢測采用非接觸式的方法，對硅片不造成任何物理損傷或污染，確保樣品在檢測過程中保持完好
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高靈敏度
PL檢測能夠發現微米級別甚至納米級別的缺陷和雜質，其靈敏度遠高于傳統方法
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快速高效
PL檢測可以在短時間內處理大量樣品，大幅提高生產效率和產品質量控制的效率
產品參數
系列型號
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JPT-30W
vs -
JPT-50W
vs -
JPT-200W
vs
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輸出功率（W）
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中心波長（nm）
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中心波長偏差
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典型工作距離（mm）
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可檢硅片尺寸（mm）
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配電需求（V）
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IO接口（V）
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平均功耗（W）
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出光控制方式
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功率調節方式
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工作溫濕度（℃）
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尺寸 (L×W×H)（mm）
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重量（kg）
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適用工藝
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冷卻方式
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JPT-30W
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輸出功率（W）30
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中心波長（nm）808
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中心波長偏差±5
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典型工作距離（mm）230~260
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可檢硅片尺寸（mm）≤230
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配電需求（V）220
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IO接口（V）白 0~24V+/黑 0~0.5V-
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平均功耗（W）100
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出光控制方式GUI/IO接口
-
功率調節方式GUI
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工作溫濕度（℃）20~30；＜80%
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尺寸 (L×W×H)（mm）205×111×123
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重量（kg）≈4
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適用工藝硅片鍍膜后工藝
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冷卻方式風冷
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JPT-50W
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輸出功率（W）50
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中心波長（nm）808
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中心波長偏差±5
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典型工作距離（mm）230~260
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可檢硅片尺寸（mm）≤230
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配電需求（V）220
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IO接口（V）白 0~24V+/黑 0~0.5V-
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平均功耗（W）130
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出光控制方式GUI/IO接口
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功率調節方式GUI
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工作溫濕度（℃）20~30；＜80%
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尺寸 (L×W×H)（mm）232×140×122
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重量（kg）≈5
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適用工藝硅片擴散后工藝
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冷卻方式風冷
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JPT-200W
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輸出功率（W）200
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中心波長（nm）915
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中心波長偏差±10
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典型工作距離（mm）230~260
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可檢硅片尺寸（mm）≤230
-
配電需求（V）220
-
IO接口（V）白 0~24V+/黑 0~0.5V-
-
平均功耗（W）560
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出光控制方式GUI/IO接口
-
功率調節方式GUI
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工作溫濕度（℃）20~30；＜80%
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尺寸 (L×W×H)（mm）450×235×70
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重量（kg）≈10
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適用工藝硅原片以后工藝
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冷卻方式水冷
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